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前沿技術 | 基於半導體鐳射二極體單管晶片密集光譜合束技術的直接半導體鐳射器研究
密集光譜合束技術能夠在保持輸出光束質量的同時大幅增加輸出功率▩│↟☁,使得光纖耦合模組的高亮度應用成為可能◕╃▩▩✘。透過在密集光譜合束技術中使用半導體鐳射二極體單管晶片代替半導體鐳射二極體巴條晶片▩│↟☁,光纖耦合模組的效率·☁•、可靠性和亮度能夠得到提升◕╃▩▩✘。
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王俊博士PW22-LASE報告全文 | 6"晶圓高功率半導體鐳射晶片量產線
高功率半導體鐳射器廣泛用作光纖鐳射器和固體鐳射器的泵浦源▩│↟☁,或直接半導體鐳射系統的光源◕╃▩▩✘。為了滿足光纖鐳射器·☁•、固體鐳射器和直接半導體鐳射系統的新興需求▩│↟☁,半導體鐳射器正朝著更大的製造規模▩│↟☁,更高的效能和更低的成本的方向發展◕╃▩▩✘。本文中▩│↟☁,我們將介紹我們在這些領域的進展◕╃▩▩✘。
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用於鐳射雷達的高效能多結VCSEL晶片的研究
本文報道了激射波長在940nm附近的高效能多結VCSEL陣列◕╃▩▩✘。
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