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金獎+銅獎 | 長光華芯榮獲兩項Laser Focus World 創新大獎

金獎+銅獎 | 長光華芯榮獲兩項Laser Focus World 創新大獎

  • 分類☁·↟│:公司新聞
  • 作者☁·↟│:
  • 來源☁·↟│:
  • 釋出時間☁·↟│:2022-09-26
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【概要描述】近日✘↟•☁◕,由 Laser Focus World 主辦的“2022年度創新大獎”評選落下帷幕✘↟•☁◕,長光華芯首次攜30W高功率半導體單管晶片↟·↟₪↟、680W 976nm 200um光纖耦合模組兩款產品參選✘↟•☁◕,分別榮獲金獎和銅獎│•·。

金獎+銅獎 | 長光華芯榮獲兩項Laser Focus World 創新大獎

【概要描述】近日✘↟•☁◕,由 Laser Focus World 主辦的“2022年度創新大獎”評選落下帷幕✘↟•☁◕,長光華芯首次攜30W高功率半導體單管晶片↟·↟₪↟、680W 976nm 200um光纖耦合模組兩款產品參選✘↟•☁◕,分別榮獲金獎和銅獎│•·。

  • 分類☁·↟│:公司新聞
  • 作者☁·↟│:
  • 來源☁·↟│:
  • 釋出時間☁·↟│:2022-09-26
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詳情

近日✘↟•☁◕,由 Laser Focus World 主辦的“2022年度創新大獎”評選落下帷幕✘↟•☁◕,長光華芯首次攜30W高功率半導體單管晶片↟·↟₪↟、680W 976nm 200um光纖耦合模組兩款產品參選✘↟•☁◕,分別榮獲金獎和銅獎│•·。

 

 

 

Laser Focus World Innovator Awards 2022

 

 

 

Laser Focus World Innovator Awards 由全球業內專家組成專業評委團✘↟•☁◕,旨在表彰鐳射↟·↟₪↟、光學和光電行業中各種不同的創新技術↟·↟₪↟、產品和系統│•·。其評審標準不僅包括產品的原創性和創新性✘↟•☁◕,產品對設計者↟·↟₪↟、系統整合商和使用者的影響力✘↟•☁◕,產品是否滿足新的市場需求✘↟•☁◕,是否利用了新技術以提高生產力✘↟•☁◕,也是其重要的評判標準之一│•·。

 

30W 單管晶片

Award Level: Gold Honoree

 

 

30W 高功率半導體單管晶片✘↟•☁◕,基於長光華芯成熟的單管晶片技術工藝✘↟•☁◕,透過最佳化晶片外延結構設計和提高腔面特殊處理技術✘↟•☁◕,提升晶片功率│•·。透過最佳化非對稱大光腔結構波導層厚度✘↟•☁◕,降低閾值✘↟•☁◕,提高斜效率✘↟•☁◕,並保持電壓穩定│•·。在最佳化鐳射晶片功率之外✘↟•☁◕,長光華芯持續提高腔面特殊處理過程的材料質量降低缺陷比例✘↟•☁◕,提高腔面的抗光學災變損傷的能力✘↟•☁◕,在追求更高輸出功率和轉換效率的同時✘↟•☁◕,滿足工業市場對鐳射器壽命的要求│•·。

 

鐳射晶片是鐳射技術的關鍵✘↟•☁◕,是整個鐳射產業鏈的技術核心✘↟•☁◕,受外延生長技術↟·↟₪↟、腔面鈍化技術的限制✘↟•☁◕,長期以來我國的半導體鐳射晶片的功率↟·↟₪↟、壽命方面較之國外先進水平有較大的差距│•·。自成立以來✘↟•☁◕,長光華芯高度重視研發創新能力的建設✘↟•☁◕,已建成全球少數幾條半導體鐳射晶片自主可控的IDM垂直工藝平臺✘↟•☁◕,產品技術指標比肩國際領先水平│•·。值得一提的是✘↟•☁◕,長光華芯全新推出的更高功率↟·↟₪↟、更高效率的35W商用單管晶片已開始供貨│•·。

 

680W 976nm光纖耦合模組

Award Level: Bronze Honoree

 

 

長光華芯680W 976nm 200um光纖耦合模組✘↟•☁◕,光纖芯徑220um✘↟•☁◕,輸出功率680W✘↟•☁◕,數值孔徑NA0.17✘↟•☁◕,中心波長976nm✘↟•☁◕,光譜半高寬≤5nm✘↟•☁◕,高電流下電光效率50%✘↟•☁◕,具有高電流下轉換效率高↟·↟₪↟、壽命長↟·↟₪↟、波長可控等特點│•·。該系列產品採用公司自主研發生產的高功率35W 976nm單管晶片✘↟•☁◕,最大程度的節約單瓦材料成本✘↟•☁◕,同時透過高效散熱封裝技術✘↟•☁◕,確保晶片在更“冷”的狀態下工作✘↟•☁◕,保障模組長期可靠工作│•·。

 

長光華芯在國內率先提出和倡導將976nm泵浦方案應用在工業領域✘↟•☁◕,我們認為只有成本更低↟·↟₪↟、功率更高的976nm泵浦方案才能滿足日益增長的客戶需求✘↟•☁◕,976nm泵浦技術是市場的選擇✘↟•☁◕,也將會替代915nm逐漸成為未來的主流技術路線│•·。

 

關於長光華芯

長光華芯是全球少數幾家研發和量產高功率半導體鐳射晶片的公司✘↟•☁◕,建成了完全自主可控的從晶片設計↟·↟₪↟、MOCVD(外延)↟·↟₪↟、光刻↟·↟₪↟、解理/鍍膜↟·↟₪↟、封裝測試↟·↟₪↟、光纖耦合↟·↟₪↟、直接半導體鐳射器等完整的工藝平臺和量產線✘↟•☁◕,擁有邊發射鐳射晶片(EEL)和麵發射鐳射晶片(VCSEL)兩大產品結構✘↟•☁◕,GaAs(砷化鎵)和InP(磷化銦)兩大材料體系✘↟•☁◕,3吋↟·↟₪↟、6吋兩大量產線│•·。

 

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