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擬投資10億元 | 長光華芯打造先進化合物半導體光電子平臺

擬投資10億元 | 長光華芯打造先進化合物半導體光電子平臺

  • 分類✘✘│:公司新聞
  • 作者✘✘│:
  • 來源✘✘│:
  • 釋出時間✘✘│:2023-01-04
  • 訪問量✘✘│:0

【概要描述】平臺建設週期2年•✘,計劃2023年開工•✘,2025年建成投產•✘,平臺建成後•✘,將具備年產1億顆晶片◕│·、500萬器件的能力▩☁☁₪。研發和工藝平臺具備支援全系列化合物半導體器件的研發和生產能力▩☁☁₪。

擬投資10億元 | 長光華芯打造先進化合物半導體光電子平臺

【概要描述】平臺建設週期2年•✘,計劃2023年開工•✘,2025年建成投產•✘,平臺建成後•✘,將具備年產1億顆晶片◕│·、500萬器件的能力▩☁☁₪。研發和工藝平臺具備支援全系列化合物半導體器件的研發和生產能力▩☁☁₪。

  • 分類✘✘│:公司新聞
  • 作者✘✘│:
  • 來源✘✘│:
  • 釋出時間✘✘│:2023-01-04
  • 訪問量✘✘│:0
詳情

12月27日•✘,長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導體鐳射創新研究院有限公司與蘇州科技城管理委員會簽訂專案投資合作協議•✘,擬在太湖科學城新建先進化合物半導體光電子平臺專案•✘,專案總佔地面積約 31 畝•✘,投資總額約 10 億元▩☁☁₪。

 

本次簽約專案圍繞光電與化合物半導體開展業務拓展與投資孵化工作•✘,對標國際頂尖水準•✘,打造基於多種化合物半導體的光電與電子器件的材料◕│·、工藝以及封裝技術開發的先進器件研發和產業化平臺▩☁☁₪。

 

 

平臺建設目標

平臺建設週期2年•✘,計劃2023年開工•✘,2025年建成投產•✘,平臺建成後•✘,將具備年產1億顆晶片◕│·、500萬器件的能力▩☁☁₪。研發和工藝平臺具備支援全系列化合物半導體器件的研發和生產能力▩☁☁₪。在目前國際領先的6吋化合物生產線基礎上•✘,推動研發硬體條件以及研發生產水平全面達到國際頂尖•✘,具備多領域的國產器件與模組進口替代能力•✘,全力構建政府◕│·、資本◕│·、產業◕│·、區域◕│·、研究所及企業◕│·、上下游創新協同◕│·、供應鏈互通的新一代中國鐳射國產化產業生態鏈•✘,推動我國鐳射產業科技創新▩☁☁₪。

 

 

這次專案簽約•✘,是長光華芯全面貫徹公司“一平臺◕│·、一支點◕│·、橫向擴充套件◕│·、縱向延伸”發展戰略的重要舉措▩☁☁₪。一直以來•✘,蘇州長光華芯半導體鐳射創新研究院充分利用和發揮長光華芯半導體鐳射器晶片技術的領先性和輻射能力•✘,吸引全球頂尖人才•✘,匯聚相關高階產業•✘,構建可持續發展的領先的研發平臺•✘,打造具有國際影響力的半導體鐳射器晶片及相關領域創新高地和產業基地▩☁☁₪。這與蘇州高新區聚焦光子產業發展•✘,推動產業鏈◕│·、資金鍊◕│·、人才鏈深度融合•✘,以加速打造千億級光子產業創新叢集為目標•✘,持續最佳化光子產業創新創業生態的發展目標不謀而合▩☁☁₪。

 

專案建設效果圖

 

現階段•✘,我國光電子產業正處於“換道超車”的黃金十年•✘,國家戰略級的部署“引領”中國鐳射產業快速◕│·、健康發展▩☁☁₪。長光華芯聚焦光子關鍵核心技術攻關和科技成果轉化•✘,不斷提升產品技術水平•✘,增強市場競爭力•✘,夯實中國鐳射產業鏈的基石與源頭•✘,促進鐳射產業繁榮發展•✘,代表中國參與全球競爭▩☁☁₪。心所往•✘,光所至▩☁☁₪。

 

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