核心技術
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外延生長技術

Epitaxial growth

外延生長是指在一定結晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上延伸出並按一定晶體學方向生長單晶層的方法✘₪,這個單晶層被稱為外延層↟╃╃☁✘。外延生長可以精確控制外延層的組分▩▩₪··、厚度▩▩₪··、介面▩▩₪··、摻雜及均勻性✘₪,是半導體鐳射器製作的首步工序↟╃╃☁✘。外延生長的材料結構及質量直接決定了半導體鐳射器晶片的波長▩▩₪··、功率▩▩₪··、壽命及可靠性✘₪,是半導體鐳射器製作的核心技術之一↟╃╃☁✘。

 長光華芯
 長光華芯

FAB晶圓工藝

FAB Wafer process

FAB晶圓工藝加工是將半導體鐳射器或其他光電器件外延片加工成鐳射器晶片的關鍵加工過程↟╃╃☁✘。利用光刻▩▩₪··、刻蝕技術在在外延結構上製作微米和奈米級圖形✘₪,完成半導體鐳射器等光電器件的橫向結構的定義✘₪,構造半導體鐳射器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結構↟╃╃☁✘。再利用介質膜和金屬膜生長等工藝完成半導體鐳射器等光電器件電流注入電極的製備✘₪,完成半導體鐳射器晶片等光電晶片的製備↟╃╃☁✘。

腔面解理鈍化技術

Cavity surface passivation treatment equipment and technology

在腔面解理及鈍化處理方面✘₪,採用超高真空(<10-10torr)腔面解理鈍化工藝✘₪,結合無吸收視窗的晶片新結構及工藝✘₪,提高了晶片抗腔面光學災變損傷的功率↟╃╃☁✘。

案例展示
 長光華芯

高亮度合束及光纖耦合

High brightness combined beam And fiber coupling

針對大功率半導體鐳射器光譜質量低▩▩₪··、光束質量差▩▩₪··、光譜質量低的難題✘₪,採用微光學器件和緊湊化設計降低鐳射器尺寸和體積▩▩₪··、採用體光柵和麵光柵混合光譜合成技術在保證高輸出光束質量的情況下上百倍地提升輸出功率▩▩₪··、採用面光柵波長鎖定技術降低中心波長漂移的同時提升光譜質量▩▩₪··、採用高效率光纖耦合技術實現鐳射柔性傳輸▩▩₪··、提高系統可靠性✘₪,透過設計創新性的結構和開發突破性的波長鎖定及光譜合成技術✘₪,研製高功率▩▩₪··、高亮度▩▩₪··、高光譜質量的光纖耦合模組↟╃╃☁✘。

外延生長技術

Epitaxial growth

外延生長是指在一定結晶取向的原有晶體(一般稱為襯底)上延伸出並按一定晶體學方向生長單晶層的方法✘₪,這個單晶層被稱為外延層↟╃╃☁✘。外延生長可以精確控制外延層的組分▩▩₪··、厚度▩▩₪··、介面▩▩₪··、摻雜及均勻性✘₪,是半導體鐳射器製作的首步工序↟╃╃☁✘。外延生長的材料結構及質量直接決定了半導體鐳射器晶片的波長▩▩₪··、功率▩▩₪··、壽命及可靠性✘₪,是半導體鐳射器製作的核心技術之一↟╃╃☁✘。

 長光華芯
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FAB晶圓工藝

FAB Wafer process

FAB晶圓工藝加工是將半導體鐳射器或其他光電器件外延片加工成鐳射器晶片的關鍵加工過程↟╃╃☁✘。利用光刻▩▩₪··、刻蝕技術在在外延結構上製作微米和奈米級圖形✘₪,完成半導體鐳射器等光電器件的橫向結構的定義✘₪,構造半導體鐳射器的完整諧振腔和其他光電器件的功能結構↟╃╃☁✘。再利用介質膜和金屬膜生長等工藝完成半導體鐳射器等光電器件電流注入電極的製備✘₪,完成半導體鐳射器晶片等光電晶片的製備↟╃╃☁✘。

腔面鈍化處理裝備和工藝

Cavity surface passivation treatment equipment and technology

在腔面解理及鈍化處理方面✘₪,採用超高真空(<10-10torr)腔面解理鈍化工藝✘₪,結合無吸收視窗的晶片新結構及工藝✘₪,提高了晶片抗腔面光學災變損傷的功率↟╃╃☁✘。

 長光華芯
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高亮度合束及光纖耦合

High brightness combined beam And fiber coupling

針對大功率半導體鐳射器光譜質量低▩▩₪··、光束質量差▩▩₪··、光譜質量低的難題✘₪,採用微光學器件和緊湊化設計降低鐳射器尺寸和體積▩▩₪··、採用體光柵和麵光柵混合光譜合成技術在保證高輸出光束質量的情況下上百倍地提升輸出功率▩▩₪··、採用面光柵波長鎖定技術降低中心波長漂移的同時提升光譜質量▩▩₪··、採用高效率光纖耦合技術實現鐳射柔性傳輸▩▩₪··、提高系統可靠性✘₪,透過設計創新性的結構和開發突破性的波長鎖定及光譜合成技術✘₪,研製高功率▩▩₪··、高亮度▩▩₪··、高光譜質量的光纖耦合模組↟╃╃☁✘。

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